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真空熔炼炉 双管区熔提纯炉

真空熔炼炉 双管区熔提纯炉

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产品型号:KQZ-20-11

更新时间:2024-09-13

描述:真空熔炼炉 双管区熔提纯炉 设备用途:

提纯金属、半导体、有机和无机的化学材料;

区熔致匀(使一种欲掺入的杂质十分均匀地分布在整个单晶体中)

焊接和测量液体中的扩散率等。

详细信息






·真空熔炼炉 双管区熔提纯炉  设备用途:

  1. 提纯金属、半导体、有机和无机的化学材料;

  2. 区熔致匀(使一种欲掺入的杂质十分均匀地分布在整个单晶体中)

  3. 焊接和测量液体中的扩散率等。


二·真空熔炼炉 双管区熔提纯炉  优点:


 1·区熔加热炉采用往复区熔的方式,闭环温度控制,可靠的控制熔区的宽度问题;生长室的设计成功解     决生长室的污染问题,
 2·将加热及保温材料均设置在生长腔室外部,采用高纯石英作为腔室,同时抽真空;将流动高纯氢气通     入腔室,去除腔室中的微量氧,解决氧化的问题;
 3·开发高柔性的控制软件,采用触摸屏进行操作,任意设置区熔的温度,区熔的速度及次数。


·主要技术参数

  1. 最高加热温度:     1200℃ 使用温度:500-1100℃

  2. 设备功率:          ≤35Kw±10%  三相380v 50Hz(三相五线制)

  3. 感应电源功率:     20Kw±10%  三相380v 50Hz(三相五线制)频率≥400kHz。

  4. 红外加热功率:      2kw*2(暂定)

  5. 冷态极限真空度:   ≤5×10-4Pa

  6. 石墨舟尺寸:     Ф70*200mm(外径*长度,半圆柱)

  7. 石英管(腔室)尺寸: ¢90*1500(根据实际情况做调整)

  8. 加热方式:        高频感应加热

9·区熔行程及速度:  位移行程 ≦1200mm
                   慢速:0.1-10mm/h(伺服控制)精度0.01mm
               快速:200mm/min(伺服控制)(空走或者后退)
10.炉内充气压力:    ≤0.03MPa(氩气)
11·充气系统:      自动充放气
12.区熔温区:       2温区
13.石英管法兰连接方式:真空水冷密封法兰形式,留KF25真空接口,法兰材质304不锈钢
14.控制方式:触摸屏+plc






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